全球光伏裝機(jī)需求旺盛，商場空間遠(yuǎn)景寬廣。
爐的組成部分。
光伏用砂對(duì) K、Na、Li 等堿金屬雜質(zhì)要求嚴(yán)厲，純度在 4N 級(jí)以上。相關(guān)規(guī)范對(duì) 光伏用砂的純度要求在 4N 級(jí)以上，對(duì)石英坩堝用砂的純度要求更是達(dá)到了 4N8 級(jí)； 因?yàn)楣夥釄逄幱诟邷氐墓ぷ鳝h(huán)境中，對(duì)堿金屬雜質(zhì)的要求已經(jīng)挨近 IOTASTANDARD 級(jí)水平。石英坩堝分為表里兩層結(jié)構(gòu)，外層氣泡密度較高，被稱之為 不透明層；內(nèi)層為 3~5mm 厚的透明層，工作時(shí)將與高溫硅液直接觸摸，故對(duì)高純 砂純度有更高要求。
石英坩堝是硅片制備環(huán)節(jié)的耗費(fèi)性輔材，需求量與硅片產(chǎn)能深度綁定。原因在于： （1）石英坩堝難以支撐長期高溫工作。在晶硅拉制的高溫環(huán)境下（溫度約 1430℃ ~1500℃），一方面，坩堝表里表面的雜質(zhì)離子局部集聚，可形成析晶，逐步導(dǎo)致 坩堝破裂；另一方面，坩堝內(nèi)層逐步熔解，進(jìn)而使坩堝內(nèi)部的氣泡破裂，氣泡內(nèi) 雜質(zhì)會(huì)以微顆?；蛭馀莸男问接咳牍枰?，直接影響成晶率、加工時(shí)刻和晶硅質(zhì) 量。（2）屢次復(fù)投后硅液純度會(huì)明顯惡化。在屢次拉晶屢次復(fù)投的過程中，剩余 硅液的雜質(zhì)濃度將逐步上升，終究影響到晶硅成長。歸納考慮坩堝耐高溫能力和 硅片純度要求，石英坩堝在數(shù)次拉晶后便會(huì)報(bào)廢替換。
測算 2021 年 TCL 中環(huán)單 GW 硅片耗用石英砂 141 噸，同比持平，降勢趨緩。（1） 隨坩堝大型化開展，坩堝的石英砂耗量達(dá) 63.6 千克/只，同比增加 18.3 千克/只。 石英砂是石英坩堝主要原材料。據(jù)歐晶科技招股書咱們測算，石英砂約占坩堝生 產(chǎn)本錢的 62%，歐晶科技單只坩堝耗用石英砂約 63.6 千克（供給中環(huán)股份的部分）。 （2）隨硅片環(huán)節(jié)工藝優(yōu)化，單 GW 硅片耗用石英坩堝降至 2224 只，同比削減 898 只/GW。隨硅片環(huán)節(jié)工藝優(yōu)化與產(chǎn)品迭代，硅片功率密度、坩堝工作時(shí)長等性 能不斷優(yōu)化，坩堝耗量呈下降趨勢。據(jù)中環(huán)股份產(chǎn)銷數(shù)據(jù)，咱們測算 2021 年中環(huán) 股份單 GW 硅片耗用石英坩堝 2224 只，同比削減 898 只/GW。
歸納考慮石英坩堝大型化、N 型硅片占比提高等要素，預(yù)期單 GW 石英砂耗量后 續(xù)將逆勢向上。 （1）硅片環(huán)節(jié)技能迭代：如硅片大型化可有效提高單位面積硅片的承載功率， 拉棒與切片工藝優(yōu)化可提高硅片的出產(chǎn)功率；終究反應(yīng)為每 GW 硅片對(duì)應(yīng)單晶 爐設(shè)備臺(tái)數(shù)下降。 （2）坩堝可拉晶時(shí)刻延長：可下降石英坩堝的耗用頻次。如歐晶科技供應(yīng)中環(huán) 股份的石英坩堝已由 2018 年平均拉晶 140 小時(shí)提高至 2021 年平均拉晶 350 小時(shí)。 （3）坩堝大型化：一方面支撐硅片大型化，可提高單只坩堝對(duì)應(yīng)的硅棒產(chǎn)能； 另一方面石英砂耗量也在提高。 （4）N 型硅片浸透趨勢：據(jù) CPIA 計(jì)算，2022 年我國 P 型 PERC 單晶硅片規(guī)模 化出產(chǎn)轉(zhuǎn)化功率平均在 23.2%，同比提高 0.1pct，已近理論極限，提高空間有限； 而 TOPcon、HJT 等 N 型晶硅電池理論轉(zhuǎn)化功率更高，出產(chǎn)工藝同 PERC 高度兼 容。未來隨本錢與良率改進(jìn)，N 型硅片或?qū)⒗^續(xù)浸透。而 N 型硅片對(duì)硅液純度 要求更高，將明顯縮短石英坩堝工作時(shí)長，進(jìn)而抬高石英坩堝耗量。
測算坩堝用砂需求 2023 年 9.3 萬噸，2022~2025 年 CAGR+36%。其中，單 GW 硅 片的石英砂耗量由 2019 年 175 噸/GW 降至 2020 年 132 噸/GW 后逐步回升至 2022 年 157.2 噸/GW，判斷后續(xù)將繼續(xù)上升。 關(guān)鍵假定： （1）隨光伏產(chǎn)業(yè)鏈新一輪降價(jià)，預(yù)期 2023 年下流需求依然旺盛；判斷全球光伏 裝機(jī) 2023~2025 年增速為 30%、15%、10%； （2）單晶爐出產(chǎn)功率優(yōu)化，2023~2025 年每 GW 硅片對(duì)應(yīng)單晶爐 85/83/82 臺(tái)； （3）N 型硅片浸透率 2023~2025 年達(dá) 30%/50%/60%； （4）石英坩堝可拉晶時(shí)長提高；石英砂單耗提高；坩堝中國產(chǎn)砂用量占比 2022 年敏捷提高至 58%（外層根本使用國產(chǎn)砂），后續(xù)提高速度趨緩（能否代替內(nèi)層 砂需盯梢國產(chǎn)砂純度提高進(jìn)程）。